Research Project
Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
ワイドバンドギャップ半導体であるSiC（炭化ケイ素）は，従来の材料を凌駕する特性を有し，パワー素子としての産業応用が急速に進展している．一方で，その長期的な特性劣化への理解が未だ不十分であり，劣化による致命的な回路動作不良を未然に防ぐための対応が求められる．本研究では，回路実装されたSiCパワー素子の劣化状態を監視する手法を開発し，機能安全性の観点から同素子の長期信頼性を向上させる技術を提案する．
