Research Project
Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
半導体デバイスの高機能・高性能化において、強相関電子材料(SCES電荷、スピン、軌道の自由度が複雑に相互作用する材料)とSiデバイスの融合は有力なアプローチの一つである。SCESの電子機能を活用することで、メモリビットの多次元化、省電力化等の実現が期待できる。しかし、その接合界面の電子状態や電子の移動メカニズムは殆ど調査されてなかった。本研究ではSCES材料の(La,Sr)VO3をSiに直接接合し、電気特性評価からこれらを明らかにする。同時に、電圧下放射光分析システムを開発し電子の移動に伴う状態変化を解明することで、SCESを用いた多電子機能Siデバイス創成という新分野開発の足がかりを創る。
