| Project/Area Number |
24KF0164
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| Research Category |
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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| Allocation Type | Multi-year Fund |
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| Section | 外国 |
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| Review Section |
Basic Section 28030:Nanomaterials-related
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| Research Institution | National Institute for Materials Science |
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Principal Investigator |
深田 直樹 国立研究開発法人物質・材料研究機構, ナノアーキテクトニクス材料研究センター, 副センター長 (90302207)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
ZHANG QINQIANG 国立研究開発法人物質・材料研究機構, ナノアーキテクトニクス材料研究センター, 外国人特別研究員
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| Project Period (FY) |
2024-10-01 – 2027-03-31
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| Project Status |
Granted (Fiscal Year 2024)
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| Budget Amount *help |
¥2,300,000 (Direct Cost: ¥2,300,000)
Fiscal Year 2026: ¥300,000 (Direct Cost: ¥300,000)
Fiscal Year 2025: ¥1,200,000 (Direct Cost: ¥1,200,000)
Fiscal Year 2024: ¥800,000 (Direct Cost: ¥800,000)
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| Outline of Research at the Start |
本研究では、2次元（2D）材料と1次元（1D）材料のハイブリッドヘテロ構造である2D-GeS/1D-Ge用いて、縦型構造を有する高電子移動度トランジスタ（HEMT）の開発を目的とする。まず、Ge基板上でGeSの結晶化に必要な条件、特に形成温度条件を明らかにし、垂直配向Geナノワイヤの表面へのGeSの成長技術を確立する。更に、Ge領域への選択ドーピングを行い、GeSとn型Ge界面のGeS側への2次元電子ガスの形成制御を目指す。次に、垂直縦型のナノ構造周囲を取り囲むゲート絶縁膜と電極を形成し、HEMTデバイス構造の作製と性能評価を行う。
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