| Project/Area Number |
24KF0240
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| Research Category |
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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| Allocation Type | Multi-year Fund |
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| Section | 外国 |
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| Review Section |
Basic Section 14030:Applied plasma science-related
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| Research Institution | Osaka University |
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Principal Investigator |
吉村 智 大阪大学, 大学院工学研究科, 准教授 (40294029)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
CHOUTEAU SIMON 大阪大学, 大学院工学研究科, 外国人特別研究員
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| Project Period (FY) |
2024-11-15 – 2027-03-31
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| Project Status |
Granted (Fiscal Year 2024)
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| Budget Amount *help |
¥2,000,000 (Direct Cost: ¥2,000,000)
Fiscal Year 2026: ¥500,000 (Direct Cost: ¥500,000)
Fiscal Year 2025: ¥600,000 (Direct Cost: ¥600,000)
Fiscal Year 2024: ¥900,000 (Direct Cost: ¥900,000)
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| Outline of Research at the Start |
最先端半導体の製造プロセスにおいて、プラズマプロセスを用いたエッチングや薄膜堆積は非常に幅広く行われている。半導体製造用量産装置では、製造の効率化のために、その内部で発生するプラズマの状態をモニターする計測装置の数は極めて限られている。このため、現在でも、プロセス制御は、これら限られたデータと経験則をもとに実施される。本研究では、分光等の基本的な計測データと数値シミュレーションをもとに、プラズマ状態を推定する仮想計測技術の確立を目指す。特に、分光計測データの解析から、プラズマ中の電子密度、電子エネルギー分布関数等のプラズマ状態を規定するパラメータを効率的に推測する技術を確立する。
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