| Project/Area Number |
24KF0241
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| Research Category |
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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| Allocation Type | Multi-year Fund |
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| Section | 外国 |
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| Review Section |
Basic Section 14030:Applied plasma science-related
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| Research Institution | Osaka University |
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Principal Investigator |
吉村 智 大阪大学, 大学院工学研究科, 准教授 (40294029)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
SPISKE LUCAS 大阪大学, 大学院工学研究科, 外国人特別研究員
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| Project Period (FY) |
2024-11-15 – 2027-03-31
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| Project Status |
Granted (Fiscal Year 2024)
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| Budget Amount *help |
¥2,000,000 (Direct Cost: ¥2,000,000)
Fiscal Year 2026: ¥500,000 (Direct Cost: ¥500,000)
Fiscal Year 2025: ¥1,100,000 (Direct Cost: ¥1,100,000)
Fiscal Year 2024: ¥400,000 (Direct Cost: ¥400,000)
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| Outline of Research at the Start |
現在の最先端半導体デバイスの製造工程では、原子の大きさ程度の加工精度が求められており、新規材用に対する原子層堆積（ALD）および原子層エッチング（ALE）プロセスの効率的な開発が必要不可欠である。本研究では、密度半関数法（DFT）および分子動力学（MD）シミュレーションによる、現在最先端の半導体プロセスで用いられているALD・ALEプロセスの表面反応機構を系統的に解析すると同時に、より効率的な解析手法の確立を目指し、機械学習（ML）原子間力場モデルを構築する。
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