| Project/Area Number |
24KF0270
|
|---|
| Research Category |
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
|
| Allocation Type | Multi-year Fund |
|---|
| Section | 外国 |
|---|
| Review Section |
Basic Section 21050:Electric and electronic materials-related
|
|---|
| Research Institution | National Institute for Materials Science |
|---|
Principal Investigator |
早川 竜馬 国立研究開発法人物質・材料研究機構, ナノアーキテクトニクス材料研究センター, 主幹研究員 (90469768)
|
|---|
| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
BERA JAYANTA 国立研究開発法人物質・材料研究機構, ナノアーキテクトニクス材料研究センター, 外国人特別研究員
|
|---|
| Project Period (FY) |
2024-11-15 – 2027-03-31
|
| Project Status |
Granted (Fiscal Year 2024)
|
| Budget Amount *help |
¥2,100,000 (Direct Cost: ¥2,100,000)
Fiscal Year 2026: ¥800,000 (Direct Cost: ¥800,000)
Fiscal Year 2025: ¥1,100,000 (Direct Cost: ¥1,100,000)
Fiscal Year 2024: ¥200,000 (Direct Cost: ¥200,000)
|
|---|
| Outline of Research at the Start |
本申請課題では、磁性分子を用いた縦型スピントランジスタを開発し、分子量子ビットへ応用することを目指す。具体的には、金属－絶縁体－半導体構造の絶縁膜に孤立分散した磁性分子をスピン量子ドットとして集積し、2重トンネル接合として用いる。上記トンネル接合をチャネル層に用いた縦型スピントランジスタへ拡張し、量子スピンビットとして動作することを目指す。
|
