Research Project
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
有機半導体デバイスの性能向上には、ドナー分子(電子供与体)とアクセプター分子(電子受容体)のπ軌道間で発生する混成電子状態の理解と制御が不可欠である。本研究ではドナー分子とアクセプター分子の単分子膜を積層した「πスタック性ドナー・アクセプター二分子層」をモデル系として作製する。走査トンネル顕微鏡や光電子放出角度分布といった先端計測を用い、二分子層の積層構造と電子状態の関係を分子スケールで明らかにし、有機半導体デバイス内部の電子過程の最適化法を模索する。