| Project/Area Number |
24KJ0622
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| Research Category |
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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| Allocation Type | Multi-year Fund |
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| Section | 国内 |
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| Review Section |
Basic Section 21050:Electric and electronic materials-related
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| Research Institution | The University of Tokyo |
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Principal Investigator |
中島 隆一 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 特別研究員(DC2)
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| Project Period (FY) |
2024-04-23 – 2026-03-31
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| Project Status |
Granted (Fiscal Year 2024)
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| Budget Amount *help |
¥1,600,000 (Direct Cost: ¥1,600,000)
Fiscal Year 2025: ¥900,000 (Direct Cost: ¥900,000)
Fiscal Year 2024: ¥700,000 (Direct Cost: ¥700,000)
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| Outline of Research at the Start |
現在集積回路に用いられているSiでは性能向上のための集積化に限界が存在する。一方で二次元半導体は表面にダングリングボンドがないため単層厚さでも性能を維持でき、Siに代わる次世代半導体として検討が進められている。
現状はp型動作が非常に困難であることが課題となっている。そのため我々は電極金属と二次元半導体とのコンタクトに焦点を当て、理想的な界面を形成するための手法を考案する。
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