| Project/Area Number |
24KJ0624
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| Research Category |
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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| Allocation Type | Multi-year Fund |
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| Section | 国内 |
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| Review Section |
Basic Section 13020:Semiconductors, optical properties of condensed matter and atomic physics-related
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| Research Institution | The University of Tokyo |
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Principal Investigator |
山 正樹 東京大学, 物性研究所, 特別研究員(DC2)
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| Project Period (FY) |
2024-04-23 – 2026-03-31
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| Project Status |
Granted (Fiscal Year 2024)
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| Budget Amount *help |
¥1,600,000 (Direct Cost: ¥1,600,000)
Fiscal Year 2025: ¥800,000 (Direct Cost: ¥800,000)
Fiscal Year 2024: ¥800,000 (Direct Cost: ¥800,000)
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| Outline of Research at the Start |
磁性体で生成されたスピン流は接合界面を通して非磁性体へ受け渡されるが、界面付近での相互作用（ラシュバ型スピン軌道相互作用や界面の乱れなど）がスピン流に大きな影響を与えるため、界面での物理現象を理解することはスピントロニクス分野の発展に必要不可欠である。本研究では、接合界面の影響が顕著に現れる原子層物質やSTOなどの界面系の２次元物質に着目し、強磁性体と２次元物質の接合系におけるスピン流生成やスピン流輸送現象の微視的理論を構築する。
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