| Project/Area Number |
24KJ0767
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| Research Category |
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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| Allocation Type | Multi-year Fund |
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| Section | 国内 |
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| Review Section |
Basic Section 21060:Electron device and electronic equipment-related
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| Research Institution | The University of Tokyo |
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Principal Investigator |
唐 思逸 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 特別研究員(DC2)
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| Project Period (FY) |
2024-04-23 – 2026-03-31
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| Project Status |
Granted (Fiscal Year 2024)
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| Budget Amount *help |
¥1,400,000 (Direct Cost: ¥1,400,000)
Fiscal Year 2025: ¥700,000 (Direct Cost: ¥700,000)
Fiscal Year 2024: ¥700,000 (Direct Cost: ¥700,000)
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| Outline of Research at the Start |
研究者は今までγ-Fe2O3という酸化物薄膜についての研究を注目しております。現存の半導体プロセスに適合している導電基板の上に高品質に成長しました。薄膜中に存在するFe2+の量が減少することで、伝導キャリアによるスピンの散逸が低減されると考えられます。そこで、本研究ではγ-(Fe,Al)2O3薄膜を使用したヘテロ接合型素子を開発します。この素子では、薄膜中の微小なキャリア数を外部摂動（光照射や電圧の印加）によって精密に制御し、スピン波伝搬特性を劇的に変調し、その制御を実現することを目指します。
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