III-V/Siハイブリッド集積技術による超低消費電力・高速プログラマブル光回路

• Project/Area Number: 24KJ0823
• Research Category: Grant-in-Aid for JSPS Fellows
• Allocation Type: Multi-year Fund
• Section: 国内
• Review Section: Basic Section 30020:Optical engineering and photon science-related
• Research Institution: The University of Tokyo
• Principal Investigator: 赤澤 智熙 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 特別研究員(DC1)
• Project Period (FY): 2024-04-23 – 2027-03-31
• Project Status: Granted (Fiscal Year 2024)
• Budget Amount: ¥2,200,000 (Direct Cost: ¥2,200,000); Fiscal Year 2026: ¥1,200,000 (Direct Cost: ¥1,200,000); Fiscal Year 2025: ¥500,000 (Direct Cost: ¥500,000); Fiscal Year 2024: ¥500,000 (Direct Cost: ¥500,000)

Outline of Research at the Start

シリコンフォトニクス技術の発展に伴い、消費電力や速度などの利点から，再構成可能なプログラマブル光回路が次世代の通信や演算、センシングの基盤技術として注目されている。しかしながら，現状の光回路では、光位相シフタ、パワーモニタ、受光器といった光デバイスの性能がボトルネックとなり、高性能なプログラマブル光回路の実現が難しい。そこで，本研究では，優れた物性を持つIII-V族半導体をSiと組み合わせるハイブリッド集積技術を用いて，高性能な光デバイスを実現することを目指す。また，それらの光デバイスを用いて光回路を構成し，低消費電力かつ高速なプログラマブル光回路の実現を目指す。