| Project/Area Number |
24KJ1270
|
|---|
| Research Category |
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
|
| Allocation Type | Multi-year Fund |
|---|
| Section | 国内 |
|---|
| Review Section |
Basic Section 21060:Electron device and electronic equipment-related
|
|---|
| Research Institution | Nagoya University |
|---|
Principal Investigator |
權 熊 名古屋大学, 工学研究科, 特別研究員(DC2)
|
|---|
| Project Period (FY) |
2024-04-23 – 2026-03-31
|
| Project Status |
Granted (Fiscal Year 2024)
|
| Budget Amount *help |
¥1,400,000 (Direct Cost: ¥1,400,000)
Fiscal Year 2025: ¥700,000 (Direct Cost: ¥700,000)
Fiscal Year 2024: ¥700,000 (Direct Cost: ¥700,000)
|
|---|
| Outline of Research at the Start |
本研究では、縦型GaN 接合型電界効果トランジスタ（JFET）を用いてパワーデバイスの高性能化及び信頼性向上を実現する。縦型GaN JFETは動作によって生じる電力損失が少ないともにデバイス作製が簡単でありコストが削減できるなどの利点がある。また、本デバイスは電気自動車、高速鉄道など人命と直接関係するシステムへの応用が期待されており、その信頼性が非常に重要である。そのため、信頼性に悪影響を及ぼす結晶欠陥の分析や抑制、デバイス構造の最適化によって高信頼性デバイスを実現する。
|
