| Project/Area Number |
24KJ1553
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| Research Category |
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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| Allocation Type | Multi-year Fund |
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| Section | 国内 |
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| Review Section |
Basic Section 21050:Electric and electronic materials-related
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| Research Institution | Osaka University |
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Principal Investigator |
藤本 博貴 大阪大学, 大学院工学研究科, 特別研究員(DC2)
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| Project Period (FY) |
2024-04-23 – 2026-03-31
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| Project Status |
Granted (Fiscal Year 2024)
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| Budget Amount *help |
¥1,500,000 (Direct Cost: ¥1,500,000)
Fiscal Year 2025: ¥800,000 (Direct Cost: ¥800,000)
Fiscal Year 2024: ¥700,000 (Direct Cost: ¥700,000)
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| Outline of Research at the Start |
炭化ケイ素（SiC）は次世代のパワー半導体材料として期待されており、すでにSiC金属-酸化膜-半導体 電界効果トランジスタ（MOSFET）の実用化が進んでいる。しかし、SiC MOSFETのチャネル移動度はバルク移動度に比べて著しく低く、SiC本来のポテンシャルを最大限発揮できていない。これは主に酸化膜/SiC界面に存在する高密度の界面欠陥が伝導キャリアを捕獲、散乱するためである。本研究では、高品質SiC MOS界面の形成に向けて、界面欠陥低減プロセスの確立およびSiC MOSFETの高移動度の実証を目指す。
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