| Project/Area Number |
24KJ1858
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| Research Category |
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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| Allocation Type | Multi-year Fund |
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| Section | 国内 |
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| Review Section |
Basic Section 21050:Electric and electronic materials-related
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| Research Institution | Tokyo Metropolitan University |
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Principal Investigator |
石井 涼太 東京都立大学, システムデザイン研究科, 特別研究員(DC2)
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| Project Period (FY) |
2024-04-23 – 2026-03-31
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| Project Status |
Granted (Fiscal Year 2024)
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| Budget Amount *help |
¥1,400,000 (Direct Cost: ¥1,400,000)
Fiscal Year 2025: ¥700,000 (Direct Cost: ¥700,000)
Fiscal Year 2024: ¥700,000 (Direct Cost: ¥700,000)
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| Outline of Research at the Start |
本研究は、次世代の超伝導線材開発に不可欠な中温高磁場領域の高臨界電流密度化に関して、最もシンプルでローコストな REBa2Cu3O7-δ(RE123)高温超伝導薄膜作製法であるフッ素フリー有機金属堆積法(FF-MOD 法)を発展させ、独自に考案した複数の手法により、超伝導体内部に効果的なナノ粒子型の磁束ピン止め点の導入を実現し、中温高磁場中で高臨界電流密度(Jc)を有する線材作製プロセスを確立することを目指している。
その Jc の目標値は、線材断面積に占める超伝導層の比率を 1/50 として、標準的な MRI マグネットの設計から算出した、2×104 A/mm2 @30K, 7T 以上を設定する。
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