日本の半導体産業再興への道を拓く酸化ガリウムの新規バルク単結晶成長法の開発

• Project/Area Number: 25H00725
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• Allocation Type: Single-year Grants
• Section: 一般
• Review Section: Medium-sized Section 21:Electrical and electronic engineering and related fields
• Research Institution: Tohoku University
• Principal Investigator: 吉川 彰 東北大学, 金属材料研究所, 教授 (50292264)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 松岡 隆志 東北大学, 未来科学技術共同研究センター, 学術研究員 (40393730) ; 姚 永昭 三重大学, 研究基盤推進機構, 教授 (80523935) ; 末光 哲也 東北大学, 未来科学技術共同研究センター, 特任教授 (90447186)
• Project Period (FY): 2025-04-01 – 2028-03-31
• Project Status: Granted (Fiscal Year 2025)
• Budget Amount: ¥46,540,000 (Direct Cost: ¥35,800,000、Indirect Cost: ¥10,740,000); Fiscal Year 2025: ¥17,420,000 (Direct Cost: ¥13,400,000、Indirect Cost: ¥4,020,000)
• Keywords: 単結晶成長 / 結晶成長シミュレーション / 酸化ガリウム / 結晶欠陥 / パワーデバイス

Outline of Research at the Start

従来の酸化ガリウム結晶育成では、先行研究で報告された物性が酸化ガリウム本来の物性か、結晶育成手法起因なのかを切り分けることができていない。本研究で「無欠陥」結晶を実現することにより、初めて酸化ガリウムの真の物性を評価可能となり、酸化ガリウムパワーデバイス実現に向けた重要課題であるp型の実現や熱伝導率の改善に資する知見も期待できる。世にある半導体デバイスを凌駕する革新的なデバイス作製に貢献すべく、結晶育成と欠陥評価、物性評価、デバイス作製までを一気通貫で実施し、日本の半導体産業再興に貢献する。