Realization of 3D high density multi-wavelength light source on Si electrical circuit using semiconductor membrane laser and multi-stack waveguide

• Project/Area Number: 25H00735
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• Allocation Type: Single-year Grants
• Section: 一般
• Review Section: Medium-sized Section 21:Electrical and electronic engineering and related fields
• Research Institution: Institute of Science Tokyo
• Principal Investigator: 西山 伸彦 東京科学大学, 工学院, 教授 (80447531)
• Project Period (FY): 2025-04-01 – 2030-03-31
• Project Status: Granted (Fiscal Year 2025)
• Budget Amount: ¥45,630,000 (Direct Cost: ¥35,100,000、Indirect Cost: ¥10,530,000); Fiscal Year 2025: ¥6,240,000 (Direct Cost: ¥4,800,000、Indirect Cost: ¥1,440,000)
• Keywords: 半導体レーザ / 3次元光回路

Outline of Research at the Start

電子回路およびチップレット内/間での利用に資する高密度広帯域光伝送を実現する電子回路上3次元多波長光集積回路・光源の作製と実証を目的とする。電子回路上に形成可能な異種材料集積による低消費電力化合物半導体薄膜レーザとシリコンベース多波長合波受動光回路の3次元積層集積により、単位面積当たりのデータ伝送密度を大幅に向上させるとともに、これらを100°Cを超える環境下でも動作可能にすることによって、電子回路近傍での利用を可能とする。そして、本研究を通じて「真の光電融合とは？」という学術的な問いへの回答とする。