| Project/Area Number |
25H00737
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 一般 |
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| Review Section |
Medium-sized Section 21:Electrical and electronic engineering and related fields
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| Research Institution | Gifu University |
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Principal Investigator |
久米 徹二 岐阜大学, 工学部, 教授 (30293541)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
福山 敦彦 宮崎大学, 工学部, 教授 (10264368)
鵜殿 治彦 茨城大学, 応用理工学野, 教授 (10282279)
大橋 史隆 岐阜大学, 工学部, 准教授 (20613087)
遠藤 和彦 東北大学, 流体科学研究所, 教授 (60392594)
平山 尚美 島根大学, 学術研究院理工学系, 准教授 (70581750)
KUMAR RAHUL 岐阜工業高等専門学校, その他部局等, 助教 (80961862)
今井 基晴 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 電子・光機能材料研究センター, NIMS特別研究員 (90354159)
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| Project Period (FY) |
2025-04-01 – 2029-03-31
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| Project Status |
Granted (Fiscal Year 2025)
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| Budget Amount *help |
¥47,060,000 (Direct Cost: ¥36,200,000、Indirect Cost: ¥10,860,000)
Fiscal Year 2025: ¥22,750,000 (Direct Cost: ¥17,500,000、Indirect Cost: ¥5,250,000)
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| Keywords | IV族クラスレート / 半導体材料 |
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| Outline of Research at the Start |
研究の全体構想としては、シリコンをはじめとするIV族元素の新材料「クラスレートII型」の特長である「直接遷移」「環境に優しいIV族元素（無毒、低コスト）」「エネルギー可変バンドギャップ」を生かした新規半導体の創成と応用である。本課題では Si、Ge、Snをターゲット元素とし、それらのクラスレートII型の良質な薄膜を作製し、物性評価とデバイス試作を通じて、これら物質群の半導体材料としての応用のポテンシャルを評価する。将来想定される応用は、Siクラスレートについては直接遷移の長所を活かした光デバイス、Ge、Snクラスレートについては低い熱伝導性を活かした熱電変換デバイスである。
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