| Project/Area Number |
25H00793
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 一般 |
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| Review Section |
Medium-sized Section 26:Materials engineering and related fields
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| Research Institution | The University of Tokyo |
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Principal Investigator |
柴田 直哉 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 教授 (10376501)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
関 岳人 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 講師 (90848558)
遠山 慧子 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 助教 (90996381)
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| Project Period (FY) |
2025-04-01 – 2028-03-31
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| Project Status |
Granted (Fiscal Year 2025)
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| Budget Amount *help |
¥61,360,000 (Direct Cost: ¥47,200,000、Indirect Cost: ¥14,160,000)
Fiscal Year 2025: ¥35,100,000 (Direct Cost: ¥27,000,000、Indirect Cost: ¥8,100,000)
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| Keywords | 界面 / 電荷分布 / DPC STEM |
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| Outline of Research at the Start |
材料・デバイスの電気特性は, 局所領域に偏在する電荷の分布・ダイナミクスに支配される. 特に, 粒界や異相界面などの格子欠陥に電荷の偏在が生じることで, マクロな電気特性が大きく変化すると考えられている. しかし, 格子欠陥近傍の電荷分布を直接観察することは極めて困難であり, 格子欠陥の原子構造と電荷分布の相関性に関しては未だ不明な点が多いのが現状である. そこで本研究では, 研究代表者らが近年開発した先進DPC STEM法を用いて, 格子欠陥領域に形成した空間電荷層の直接観察およびそのダイナミクス観察を実現し, 新たな材料界面設計・制御指針を構築することを最終的な目標とする.
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