| Project/Area Number |
25H00835
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 一般 |
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| Review Section |
Medium-sized Section 28:Nano/micro science and related fields
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| Research Institution | National Institute for Materials Science |
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Principal Investigator |
宮田 耕充 国立研究開発法人物質・材料研究機構, ナノアーキテクトニクス材料研究センター, グループリーダー (80547555)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
劉 崢 国立研究開発法人産業技術総合研究所, 材料・化学領域, 上級主任研究員 (80333904)
吉田 昭二 筑波大学, 数理物質系, 准教授 (90447227)
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| Project Period (FY) |
2025-04-01 – 2028-03-31
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| Project Status |
Granted (Fiscal Year 2025)
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| Budget Amount *help |
¥46,800,000 (Direct Cost: ¥36,000,000、Indirect Cost: ¥10,800,000)
Fiscal Year 2025: ¥20,280,000 (Direct Cost: ¥15,600,000、Indirect Cost: ¥4,680,000)
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| Keywords | 二次元半導体 / 欠陥制御 / 化学気相成長 / 電子顕微鏡 / 走査型トンネル顕微鏡 |
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| Outline of Research at the Start |
本課題では、前半では、遷移金属ダイカルコゲナイド(TMD)に対し、原子欠陥の極限的な低減と不純物原子の導入(原子置換)に関する技術の高度化を進める。後半では、位置選択的な原子置換技術の確立によりp型とn型の縮退半導体を電極としたトンネル電界効果トランジスタ(TFET)を形成する。最終的には、高品質な半導体pn接合の作製と電子状態の理解を進め、低電圧動作かつ高オン電流を両立したデバイスの実証を目指す。
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