| Project/Area Number |
25H00840
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 一般 |
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| Review Section |
Medium-sized Section 29:Applied condensed matter physics and related fields
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| Research Institution | The University of Tokyo |
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Principal Investigator |
田中 雅明 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 教授 (30192636)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
大矢 忍 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 教授 (20401143)
佐藤 彰一 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 特任講師 (30973325)
中根 了昌 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 特任准教授 (50422332)
Le DucAnh 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 准教授 (50783594)
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| Project Period (FY) |
2025-04-01 – 2029-03-31
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| Project Status |
Granted (Fiscal Year 2025)
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| Budget Amount *help |
¥46,410,000 (Direct Cost: ¥35,700,000、Indirect Cost: ¥10,710,000)
Fiscal Year 2025: ¥15,860,000 (Direct Cost: ¥12,200,000、Indirect Cost: ¥3,660,000)
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| Keywords | スピントロニクス / 強磁性半導体 / 超伝導 / トポロジカル物質 / 量子デバイス |
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| Outline of Research at the Start |
本研究者らが創製・開発した室温以上の高いキュリー温度(Tc)をもつ強磁性半導体(III,Fe)Vを含むヘテロ構造、およびトポロジカル物質α-Sn／超伝導体β-Snからなる複合ヘテロ構造・ナノ構造を形成する。これらの材料や構造を用いて以下の３つの機能創成を目指す：①半導体と強磁性・スピン物性の機能を融合、②半導体をベースに強磁性とトポロジカル状態を合わせ持つ機能を創出、③非磁性半導体または強磁性半導体上にエピタキシャル成長したトポロジカル物質α-Sn／超伝導β-Snからなる面内ヘテロ構造を作製し、新機能を創出する。さらに、以上の新しい機能を示すデバイスを試作することにより、量子デバイスへの応用の指針を示す。
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