| Project/Area Number |
25H00841
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 一般 |
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| Review Section |
Medium-sized Section 29:Applied condensed matter physics and related fields
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| Research Institution | Institute of Science Tokyo |
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Principal Investigator |
打田 正輝 東京科学大学, 理学院, 准教授 (50721726)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
石塚 大晃 東京科学大学, 理学院, 准教授 (00786014)
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| Project Period (FY) |
2025-04-01 – 2028-03-31
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| Project Status |
Granted (Fiscal Year 2025)
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| Budget Amount *help |
¥47,450,000 (Direct Cost: ¥36,500,000、Indirect Cost: ¥10,950,000)
Fiscal Year 2025: ¥27,560,000 (Direct Cost: ¥21,200,000、Indirect Cost: ¥6,360,000)
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| Keywords | 異常ホール効果 / 軌道磁化 / 薄膜 |
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| Outline of Research at the Start |
電子の磁気モーメントには、電子の自転に相当するスピン磁化に加えて、電子の波束の回転運動に相当する「軌道磁化」が存在する。研究代表者と研究分担者のグループが発見した面内異常ホール効果は、この軌道磁化が顕在化した効果であると理解される。本研究では、これまで未開拓であった軌道磁化による物性が非対角的な磁気輸送応答において顕在化する点に着目し、非対角エレクトロニクスの学理を世界に先駆けて開拓することを目指す。
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