| Project/Area Number |
25H00891
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 一般 |
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| Review Section |
Medium-sized Section 35:Polymers, organic materials, and related fields
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| Research Institution | Institute of Physical and Chemical Research |
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Principal Investigator |
渡邉 峻一郎 国立研究開発法人理化学研究所, 創発物性科学研究センター, チームディレクター (40716718)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
清水 智子 慶應義塾大学, 理工学部(矢上), 准教授 (00462672)
瀧宮 和男 国立研究開発法人理化学研究所, 創発物性科学研究センター, グループディレクター (40263735)
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| Project Period (FY) |
2025-04-01 – 2028-03-31
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| Project Status |
Granted (Fiscal Year 2025)
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| Budget Amount *help |
¥47,580,000 (Direct Cost: ¥36,600,000、Indirect Cost: ¥10,980,000)
Fiscal Year 2025: ¥28,730,000 (Direct Cost: ¥22,100,000、Indirect Cost: ¥6,630,000)
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| Keywords | 有機半導体 / ナノデバイス / 化学ドーピング |
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| Outline of Research at the Start |
研究では、分子インプラント型ドーピングを超精密空間制御の観点からさらに発展させ、ホモ接合型高分子半導体ナノデバイスを実現する。ホモ接合型の実現により、界面における接触抵抗・フェルミレベルピニング・寄生容量などの本質的な界面問題を排除することが可能となり、極めて幅広い電子デバイスへの応用が展開可能となる。本研究は、不純物ドーピング概念と高分子半導体の融合を発端とし、ヘテロ接合型TFT構造からのホモ接合型MOS-FET構造へのパラダイムシフトを達成する。
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