GaN基板向けスラリーレス高効率無歪加工プロセスの開発

Research Project

Project/Area Number	25K00031
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Allocation Type	Multi-year Fund
Section	一般
Review Section	Basic Section 18020:Manufacturing and production engineering-related
Research Institution	The University of Osaka
Principal Investigator	孫栄硯大阪大学, 大学院工学研究科, 助教 (50963451)
Project Period (FY)	2025-04-01 – 2028-03-31
Project Status	Granted (Fiscal Year 2025)
Budget Amount *help	¥18,720,000 (Direct Cost: ¥14,400,000、Indirect Cost: ¥4,320,000) Fiscal Year 2027: ¥7,150,000 (Direct Cost: ¥5,500,000、Indirect Cost: ¥1,650,000) Fiscal Year 2026: ¥6,240,000 (Direct Cost: ¥4,800,000、Indirect Cost: ¥1,440,000) Fiscal Year 2025: ¥5,330,000 (Direct Cost: ¥4,100,000、Indirect Cost: ¥1,230,000)
Keywords	GaN / 紫外光援用スラリーレス電気化学機械研磨法 / プラズマ援用研磨法
Outline of Research at the Start	窒化ガリウム（GaN）は、広いバンドギャップ、高い絶縁破壊電界強度を有するため、青色LEDや高出力・高周波電子デバイス用材料として期待されている。GaNの優れた特性を生かすためは、ダメージが無く原子レベルで平滑なGaN表面が要求される。しかしながら、GaNは高硬度、脆性、かつ化学的に不活性なため既存の加工技術では加工能率が低い。本研究では、軟質固定砥粒定盤を用いた高速平坦化とプラズマ照射による表面改質を援用した高能率無歪研磨仕上げから構成される一貫製造プロセスを構築し、GaN基板に対するスラリーを用いない革新的な高能率無歪加工プロセスを実現するとともにその学理を探究する。