Near to Middle Infrared Photodetector Utilizing Core-Shell Semiconductor Nanowires

• Project/Area Number: 25K01256
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• Allocation Type: Multi-year Fund
• Section: 一般
• Review Section: Basic Section 21050:Electric and electronic materials-related
• Research Institution: Hokkaido University
• Principal Investigator: 本久 順一 北海道大学, 情報科学研究院, 教授 (60212263)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 冨岡 克広 北海道大学, 情報科学研究院, 教授 (60519411)
• Project Period (FY): 2025-04-01 – 2028-03-31
• Project Status: Granted (Fiscal Year 2025)
• Budget Amount: ¥18,720,000 (Direct Cost: ¥14,400,000、Indirect Cost: ¥4,320,000); Fiscal Year 2027: ¥4,030,000 (Direct Cost: ¥3,100,000、Indirect Cost: ¥930,000); Fiscal Year 2026: ¥3,900,000 (Direct Cost: ¥3,000,000、Indirect Cost: ¥900,000); Fiscal Year 2025: ¥10,790,000 (Direct Cost: ¥8,300,000、Indirect Cost: ¥2,490,000)
• Keywords: 半導体ナノワイヤ / 近中赤外光検出器 / フォトダイオード

Outline of Research at the Start

近年情報を画像として取得し活用するイメージング技術が注目を集めており、このうち近赤外領域のイメージングは可視領域の光では得られない情報が得られることより活用が進められている。一方半導体ナノワイヤは直径数nmからサブミクロン程度、長さ数100nmから数μmの1次元細線的ながらも立体的な構造を供えたナノ材料であり、コアシェル構造などの独特な構造が実現可能である。本研究ではナノワイヤの形状的な特徴を活かすことによって、従来よりも高感度・広帯域といった利点を有し、さらにはそして将来の2次元アレイ化の実現も視野に入れながら、ナノワイヤによる近中赤外の光検出器の実現を目指す。