次世代発光源に向けた電気泳動堆積法による蛍光性量子ドット膜形成技術と欠陥修復技術

• Project/Area Number: 25K01264
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• Allocation Type: Multi-year Fund
• Section: 一般
• Review Section: Basic Section 21050:Electric and electronic materials-related
• Research Institution: The University of Osaka
• Principal Investigator: 梶井 博武 大阪大学, 大学院工学研究科, 准教授 (00324814)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 近藤 正彦 大阪大学, 大学院工学研究科, 教授 (90403170)
• Project Period (FY): 2025-04-01 – 2029-03-31
• Project Status: Granted (Fiscal Year 2025)
• Budget Amount: ¥18,850,000 (Direct Cost: ¥14,500,000、Indirect Cost: ¥4,350,000); Fiscal Year 2028: ¥2,730,000 (Direct Cost: ¥2,100,000、Indirect Cost: ¥630,000); Fiscal Year 2027: ¥3,900,000 (Direct Cost: ¥3,000,000、Indirect Cost: ¥900,000); Fiscal Year 2026: ¥7,410,000 (Direct Cost: ¥5,700,000、Indirect Cost: ¥1,710,000); Fiscal Year 2025: ¥4,810,000 (Direct Cost: ¥3,700,000、Indirect Cost: ¥1,110,000)
• Keywords: 量子ドット / 発光デバイス

Outline of Research at the Start

塗布形成可能なコロイド状量子ドット無機半導体(QD)は、量子閉じ込め効果に基づく同一材料により、粒径サイズの変化で発光色可変・半値幅が狭く色純度の高い等の次世代発光材料として優位な特徴がある。しかし、真空プロセスによる無機半導体薄膜形成に比べて、塗布薄膜は多くの表面欠陥準位が存在する問題がある。コロイド状QD等の塗布型無機半導体の半導体表面を有機分子である配位子や自己組織化単分子膜で表面を被覆することで、表面欠陥を修復し、エネルギー準位を制御することで電気的・光学的な機能を発現させ、発光デバイス応用へ繋げる。