Theory and analysis of the electron transport in semiconductor nanosheets

• Project/Area Number: 25K01265
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• Allocation Type: Multi-year Fund
• Section: 一般
• Review Section: Basic Section 21050:Electric and electronic materials-related
• Research Institution: The University of Osaka
• Principal Investigator: 森 伸也 大阪大学, 大学院工学研究科, 教授 (70239614)
• Project Period (FY): 2025-04-01 – 2029-03-31
• Project Status: Granted (Fiscal Year 2025)
• Budget Amount: ¥18,200,000 (Direct Cost: ¥14,000,000、Indirect Cost: ¥4,200,000); Fiscal Year 2028: ¥4,550,000 (Direct Cost: ¥3,500,000、Indirect Cost: ¥1,050,000); Fiscal Year 2027: ¥4,550,000 (Direct Cost: ¥3,500,000、Indirect Cost: ¥1,050,000); Fiscal Year 2026: ¥4,550,000 (Direct Cost: ¥3,500,000、Indirect Cost: ¥1,050,000); Fiscal Year 2025: ¥4,550,000 (Direct Cost: ¥3,500,000、Indirect Cost: ¥1,050,000)
• Keywords: 電子輸送理論 / ナノシート / 界面ラフネス散乱 / フォノン散乱 / デバイスシミュレーション

Outline of Research at the Start

半導体デバイスを開発・設計・製造するためには，計算機シミュレーションが必要不可欠である．先端の論理回路に用いられるような極めて微細なトランジスタの電気的特性を高精度で予測するシミュレータの開発に向けて，本研究では，従来の理論では不十分であった点を改良して，ナノシートと呼ばれる微細な半導体構造における電子輸送理論の構築および電子輸送特性の解析をおこない，次世代デバイスシミュレータの基礎を築く．