Budget Amount *help |
¥18,850,000 (Direct Cost: ¥14,500,000、Indirect Cost: ¥4,350,000)
Fiscal Year 2027: ¥4,680,000 (Direct Cost: ¥3,600,000、Indirect Cost: ¥1,080,000)
Fiscal Year 2026: ¥4,680,000 (Direct Cost: ¥3,600,000、Indirect Cost: ¥1,080,000)
Fiscal Year 2025: ¥9,490,000 (Direct Cost: ¥7,300,000、Indirect Cost: ¥2,190,000)
|
Outline of Research at the Start |
本研究では,研究代表者独自の縦型半導体スピン素子構造[Mat. Sci. Semicon. Proc. 173, 108140 (2024), Appl. Phys. Lett. 119, 192404 (2021), Cryst. Growth & Des. 12, 4703 (2012)など]に,研究代表者独自の世界最高効率の室温スピン注入技術[NPG Asia Mater. 12, 47 (2020)]と本研究で新規開発する高濃度pn接合を介した室温での量子トンネルスピン注入技術を融合することで,低抵抗電極・高室温MR比・低電圧動作・高集積化可能な縦型ゲルマニウム(Ge)スピントンネルFETを創製する.これにより,低電圧かつ急峻なスイッチング動作と不揮発メモリ機能を併せ持った革新的な半導体技術を確立する.
|