縦型GeスピントンネルFETの創製

Research Project

Project/Area Number	25K01266
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Allocation Type	Multi-year Fund
Section	一般
Review Section	Basic Section 21050:Electric and electronic materials-related
Research Institution	The University of Osaka
Principal Investigator	山田晋也大阪大学, 大学院基礎工学研究科, 准教授 (30725049)
Project Period (FY)	2025-04-01 – 2028-03-31
Project Status	Granted (Fiscal Year 2025)
Budget Amount *help	¥18,850,000 (Direct Cost: ¥14,500,000、Indirect Cost: ¥4,350,000) Fiscal Year 2027: ¥4,680,000 (Direct Cost: ¥3,600,000、Indirect Cost: ¥1,080,000) Fiscal Year 2026: ¥4,680,000 (Direct Cost: ¥3,600,000、Indirect Cost: ¥1,080,000) Fiscal Year 2025: ¥9,490,000 (Direct Cost: ¥7,300,000、Indirect Cost: ¥2,190,000)
Keywords	ゲルマニウム / スピンデバイス / エピタキシャル成長 / 分子線エピタキシー
Outline of Research at the Start	本研究では，研究代表者独自の縦型半導体スピン素子構造[Mat. Sci. Semicon. Proc. 173, 108140 (2024), Appl. Phys. Lett. 119, 192404 (2021), Cryst. Growth & Des. 12, 4703 (2012)など]に，研究代表者独自の世界最高効率の室温スピン注入技術[NPG Asia Mater. 12, 47 (2020)]と本研究で新規開発する高濃度pn接合を介した室温での量子トンネルスピン注入技術を融合することで，低抵抗電極・高室温MR比・低電圧動作・高集積化可能な縦型ゲルマニウム(Ge)スピントンネルFETを創製する．これにより，低電圧かつ急峻なスイッチング動作と不揮発メモリ機能を併せ持った革新的な半導体技術を確立する．