Solid-phase crystallization of semiconductor thin films on insulator for transistor application

• Project/Area Number: 25K01268
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• Allocation Type: Multi-year Fund
• Section: 一般
• Review Section: Basic Section 21050:Electric and electronic materials-related
• Research Institution: Kyushu University
• Principal Investigator: 佐道 泰造 九州大学, 総合理工学研究院, 教授 (20274491)
• Project Period (FY): 2025-04-01 – 2030-03-31
• Project Status: Granted (Fiscal Year 2025)
• Budget Amount: ¥18,850,000 (Direct Cost: ¥14,500,000、Indirect Cost: ¥4,350,000); Fiscal Year 2029: ¥2,730,000 (Direct Cost: ¥2,100,000、Indirect Cost: ¥630,000); Fiscal Year 2028: ¥3,510,000 (Direct Cost: ¥2,700,000、Indirect Cost: ¥810,000); Fiscal Year 2027: ¥3,380,000 (Direct Cost: ¥2,600,000、Indirect Cost: ¥780,000); Fiscal Year 2026: ¥3,380,000 (Direct Cost: ¥2,600,000、Indirect Cost: ¥780,000); Fiscal Year 2025: ¥5,850,000 (Direct Cost: ¥4,500,000、Indirect Cost: ¥1,350,000)
• Keywords: 半導体 / 結晶成長 / トランジスタ

Outline of Research at the Start

集積回路は、AIや自動運転技術など、現代社会を支えるあらゆるシステムの基盤技術である。したがって、よりゆたかで安全・安心な社会を構築するには、集積回路の性能向上が必須である。本研究では、絶縁膜上に極薄半導体薄膜を高品位形成するための新しい集積回路製造プロセスを開発することで、次世代集積回路の基盤技術を創出する。