Two-dimensional MXene for ultra-high density spin-current based magnetic memory

• Project/Area Number: 25K01275
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• Allocation Type: Multi-year Fund
• Section: 一般
• Review Section: Basic Section 21050:Electric and electronic materials-related
• Research Institution: National Institute for Materials Science
• Principal Investigator: 磯上 慎二 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 磁性・スピントロニクス材料研究センター, 主幹研究員 (10586853)
• Project Period (FY): 2025-04-01 – 2028-03-31
• Project Status: Granted (Fiscal Year 2025)
• Budget Amount: ¥18,850,000 (Direct Cost: ¥14,500,000、Indirect Cost: ¥4,350,000); Fiscal Year 2027: ¥5,200,000 (Direct Cost: ¥4,000,000、Indirect Cost: ¥1,200,000); Fiscal Year 2026: ¥5,200,000 (Direct Cost: ¥4,000,000、Indirect Cost: ¥1,200,000); Fiscal Year 2025: ¥8,450,000 (Direct Cost: ¥6,500,000、Indirect Cost: ¥1,950,000)
• Keywords: 2次元物質 / マキシン / スピン軌道トルク / 磁気メモリ

Outline of Research at the Start

グラフェン，遷移金属ダイカルコゲナイドに次ぐ2次元物質として近年，MXene（マキシン）の多用な機能性に注目が集まっている．提案者はこれをスピン流型磁気メモリデバイスに展開するという世界初の試みに挑戦し，従来の金属間化合物／合金系では困難であった超高密度化と低消費電力化のブレークスルーをヴィジョンとしている．3年間の研究期間で，
（１）スパッタリング法によるマキシン薄膜の高品位合成，
（２）有効スピントルクの垂直化とその増大．
を達成し，スピン流型磁気メモリの飛躍的な超高密度・低消費電力化を実現し，Soiety5.0やIoT社会構造への変革に対応可能な2次元マキシンデバイスの枠組みを切り開く．