六方晶窒化ホウ素中スピン欠陥のスピン偏極電流注入による電気的スピン状態制御

• Project/Area Number: 25K01277
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• Allocation Type: Multi-year Fund
• Section: 一般
• Review Section: Basic Section 21050:Electric and electronic materials-related
• Research Institution: National Institutes for Quantum Science and Technology
• Principal Investigator: 山崎 雄一 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構, 高崎量子技術基盤研究所 量子機能創製研究センター, 上席研究員 (10595060)
• Project Period (FY): 2025-04-01 – 2028-03-31
• Project Status: Granted (Fiscal Year 2025)
• Budget Amount: ¥18,720,000 (Direct Cost: ¥14,400,000、Indirect Cost: ¥4,320,000); Fiscal Year 2027: ¥5,330,000 (Direct Cost: ¥4,100,000、Indirect Cost: ¥1,230,000); Fiscal Year 2026: ¥4,940,000 (Direct Cost: ¥3,800,000、Indirect Cost: ¥1,140,000); Fiscal Year 2025: ¥8,450,000 (Direct Cost: ¥6,500,000、Indirect Cost: ¥1,950,000)
• Keywords: 六方晶窒化ホウ素 / スピン欠陥 / スピン偏極電流 / 電気的スピン状態制御

Outline of Research at the Start

本研究では、2次元材料の特性を最大限に活かした独自のアプローチにより、スピン欠陥のスピン状態を電気的に制御することを目指す。具体的には、hBN中スピン欠陥へのトンネル効果を用いたスピン偏極電流注入によるスピン偏極率の人工的制御の実現を目指す。これにより、世界初のスピン欠陥の電気的励起方法を確立する。この技術はスピン欠陥を応用する上でのブレークスルーになることが強く期待される。