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high-OP/high-k絶縁膜スタック構造を用いたグラフェンFETの高移動度化

Research Project

Project/Area Number 25K01278
Research Category

Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

Allocation TypeMulti-year Fund
Section一般
Review Section Basic Section 21050:Electric and electronic materials-related
Research InstitutionNational Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Principal Investigator

沖川 侑揮  国立研究開発法人産業技術総合研究所, 材料・化学領域, 主任研究員 (50635315)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 山田 貴壽  国立研究開発法人産業技術総合研究所, 材料・化学領域, 上級主任研究員 (30306500)
Project Period (FY) 2025-04-01 – 2029-03-31
Project Status Granted (Fiscal Year 2025)
Budget Amount *help
¥25,480,000 (Direct Cost: ¥19,600,000、Indirect Cost: ¥5,880,000)
Fiscal Year 2028: ¥5,980,000 (Direct Cost: ¥4,600,000、Indirect Cost: ¥1,380,000)
Fiscal Year 2027: ¥5,980,000 (Direct Cost: ¥4,600,000、Indirect Cost: ¥1,380,000)
Fiscal Year 2026: ¥5,980,000 (Direct Cost: ¥4,600,000、Indirect Cost: ¥1,380,000)
Fiscal Year 2025: ¥7,540,000 (Direct Cost: ¥5,800,000、Indirect Cost: ¥1,740,000)
Keywordsグラフェン / 移動度 / 光学フォノン / 誘電率 / 絶縁膜
Outline of Research at the Start

トップゲート型グラフェン電界効果型トランジスタ(FET)のトップゲート絶縁膜設計と高移動度20,000 cm2/Vsの実証を行う。Si材料の素子開発の観点から、グラフェンのトップゲート絶縁膜にも高誘電率(high-k)酸化膜が多く用いられているが、グラフェン本来の移動度が得られていない。本申請では、従来のSi半導体素子で実績のあるhigh-K絶縁膜に加え、高いフォノン(high-OP)を有する絶縁膜にも着目し、high-OP/high-Kスタック構造を有する絶縁膜を有するトップゲート型グラフェンFETの高移動度化を目指す。

URL: 

Published: 2025-04-17   Modified: 2025-06-20  

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