非対称線形分散2Dヘテロによるゼロ消費電力THz検出器の創製

• Project/Area Number: 25K01281
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• Allocation Type: Multi-year Fund
• Section: 一般
• Review Section: Basic Section 21060:Electron device and electronic equipment-related
• Research Institution: Tohoku University
• Principal Investigator: 唐 超 東北大学, 学際科学フロンティア研究所, 助教 (70910991)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 林 宗澤 東北大学, 電気通信研究所, 准教授 (40585155) ; 佐藤 昭 東北大学, 電気通信研究所, 准教授 (70510410) ; 易 利 茨城大学, 応用理工学野, 准教授 (90803908)
• Project Period (FY): 2025-04-01 – 2028-03-31
• Project Status: Granted (Fiscal Year 2025)
• Budget Amount: ¥18,850,000 (Direct Cost: ¥14,500,000、Indirect Cost: ¥4,350,000); Fiscal Year 2027: ¥5,590,000 (Direct Cost: ¥4,300,000、Indirect Cost: ¥1,290,000); Fiscal Year 2026: ¥6,630,000 (Direct Cost: ¥5,100,000、Indirect Cost: ¥1,530,000); Fiscal Year 2025: ¥6,630,000 (Direct Cost: ¥5,100,000、Indirect Cost: ¥1,530,000)
• Keywords: Terahertz / Detector / Graphene

Outline of Research at the Start

ADH-FETの輸送機構とTHz検出原理を理論的に解明し、プラズモン整流効果やボロメトリック効果を中心に、ディラック材料・二次元誘電材料のヘテロ構造におけるゼロバイアスTHz応答の学理を解明する。次に、最適なADH構造を設計し、そのバンド特性を解析した上で、適切なvdW結晶の成長と転写技術を用いてヘテロ構造を作製する。また、これを基にADH-FETを製作し、電気特性とTHz検出特性を評価する。最後に、既存のTHz光源を用いた検出特性評価光学系を構築し、ADH-FETの応答速度や感度、等価雑音電力などを詳細に評価する。