多数の光渦の同軸干渉に立脚した革新的極微細レーザー描画露光法の創出

• Project/Area Number: 25K01285
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• Allocation Type: Multi-year Fund
• Section: 一般
• Review Section: Basic Section 21060:Electron device and electronic equipment-related
• Research Institution: Nagaoka University of Technology
• Principal Investigator: 坂本 盛嗣 長岡技術科学大学, 工学研究科, 准教授 (60757300)
• Project Period (FY): 2025-04-01 – 2029-03-31
• Project Status: Granted (Fiscal Year 2025)
• Budget Amount: ¥18,720,000 (Direct Cost: ¥14,400,000、Indirect Cost: ¥4,320,000); Fiscal Year 2028: ¥2,210,000 (Direct Cost: ¥1,700,000、Indirect Cost: ¥510,000); Fiscal Year 2027: ¥7,800,000 (Direct Cost: ¥6,000,000、Indirect Cost: ¥1,800,000); Fiscal Year 2026: ¥1,950,000 (Direct Cost: ¥1,500,000、Indirect Cost: ¥450,000); Fiscal Year 2025: ¥6,760,000 (Direct Cost: ¥5,200,000、Indirect Cost: ¥1,560,000)
• Keywords: レーザー描画露光 / フォトリソグラフィ / 光渦 / 干渉 / 幾何学的位相

Outline of Research at the Start

レーザー描画露光法は金属や誘電体微細構造から成る電子・光デバイスの開発において必要不可欠な要素技術であるが、その加工線幅の微細化と加工深さの伸長化は、ガウス光の集光特性上互いにトレードオフの関係にある。本研究計画では、申請者がこれまでに開発した光渦同軸干渉光を利用したレーザー描画露光法において、２つの光渦の同軸干渉で「極微細暗線スポット」を形成するというこれ迄の発想を転換させ、多数の光渦の同軸干渉により「極微細明線スポット」を形成する手法を新たに確立する。さらに、長焦点深度と微細提案手法の実用性を実証するために、レーザー描画露光装置を構築し、高アスペクト比の微細周期構造の形成を行う。