Pseudo-Single Crystalline Indium Oxide Transistors Formed by Low-Temperature Solid Phase Crystallization

• Project/Area Number: 25K01291
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• Allocation Type: Multi-year Fund
• Section: 一般
• Review Section: Basic Section 21060:Electron device and electronic equipment-related
• Research Institution: Kochi University of Technology
• Principal Investigator: 古田 守 高知工科大学, 理工学群, 教授 (20412439)
• Project Period (FY): 2025-04-01 – 2028-03-31
• Project Status: Granted (Fiscal Year 2025)
• Budget Amount: ¥18,720,000 (Direct Cost: ¥14,400,000、Indirect Cost: ¥4,320,000); Fiscal Year 2027: ¥4,810,000 (Direct Cost: ¥3,700,000、Indirect Cost: ¥1,110,000); Fiscal Year 2026: ¥4,550,000 (Direct Cost: ¥3,500,000、Indirect Cost: ¥1,050,000); Fiscal Year 2025: ¥9,360,000 (Direct Cost: ¥7,200,000、Indirect Cost: ¥2,160,000)
• Keywords: 酸化物半導体 / 電界効果トランジスタ / 酸化インジウム / 疑似単結晶 / 固相結晶化

Outline of Research at the Start

酸化物半導体電界効果トランジスタ（FET）はシリコンFETでは実現不可能な極めて低いリーク電流を特徴とし、低消費電力化への貢献が期待されている。代表的な酸化物半導体材料である非晶質InGaZnO FETの電界効果移動度は非晶質シリコン FETの10倍大きいが、更なる高移動度化の要望が強い。本研究では従来のIGZO FETが持つ優れた特徴は維持しつつ、大幅な電子移動度向上を目的に結晶性酸化物半導体FETに取り組む。その実現に向け本研究は酸化インジウム薄膜の結晶核密度制御ならびに低温固相結晶化法による結晶粒径の増大とFET微細化を同時に推進することにより、チャネルに結晶粒界が存在しない、疑似単結晶酸化インジウム FETを創出する。