High overtone mode epitaxial ScAlN Bragg reflector resonators

• Project/Area Number: 25K01296
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• Allocation Type: Multi-year Fund
• Section: 一般
• Review Section: Basic Section 21060:Electron device and electronic equipment-related
• Research Institution: Waseda University
• Principal Investigator: 柳谷 隆彦 早稲田大学, 理工学術院, 教授 (10450652)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 高柳 真司 同志社大学, 生命医科学部, 准教授 (00735326) ; 吉田 憲司 千葉大学, フロンティア医工学センター, 准教授 (10572985) ; 鈴木 雅視 山梨大学, 大学院総合研究部, 准教授 (60763852) ; 賈 軍軍 早稲田大学, 理工学術院, 教授(任期付) (80646737)
• Project Period (FY): 2025-04-01 – 2030-03-31
• Project Status: Granted (Fiscal Year 2025)
• Budget Amount: ¥18,980,000 (Direct Cost: ¥14,600,000、Indirect Cost: ¥4,380,000); Fiscal Year 2029: ¥5,070,000 (Direct Cost: ¥3,900,000、Indirect Cost: ¥1,170,000); Fiscal Year 2028: ¥7,280,000 (Direct Cost: ¥5,600,000、Indirect Cost: ¥1,680,000); Fiscal Year 2027: ¥2,860,000 (Direct Cost: ¥2,200,000、Indirect Cost: ¥660,000); Fiscal Year 2026: ¥1,820,000 (Direct Cost: ¥1,400,000、Indirect Cost: ¥420,000); Fiscal Year 2025: ¥1,950,000 (Direct Cost: ¥1,500,000、Indirect Cost: ¥450,000)
• Keywords: 圧電薄膜共振子

Outline of Research at the Start

c軸傾斜ScAlN薄膜を用いたセンサの圧電性能の向上を目指して、
下記の４つ項目に関連して、成膜実験、デバイス作製実験、測定系の構築、評価測定およびMasonの等価回路モデルを用いたシミュレーション比較を行う。
①c軸傾斜ScAlN薄膜のエピタキシャル成長による単結晶化、「目的」：圧電性向上、耐電力性向上、GHz動作
②分極反転成長「目的」：耐電力性向上、センサ面積拡大
③エピタキシャル圧電薄膜によるGHz帯共振子「目的」：圧電性向上、耐電力性向上、 GHz動作
④すべりモードブラッグ反射器「目的」： 耐電力性向上、GHz動作