A novel approach in fabrication of III-V semiconductor films on any substrates: solution growth using perfectly wetted molten metals as the reaction field

Research Project

Project/Area Number	25K01557
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Allocation Type	Multi-year Fund
Section	一般
Review Section	Basic Section 26060:Metals production and resources production-related
Research Institution	Nagoya University
Principal Investigator	勝部涼司名古屋大学, 工学研究科, 講師 (10839947)
Project Period (FY)	2025-04-01 – 2028-03-31
Project Status	Granted (Fiscal Year 2025)
Budget Amount *help	¥18,720,000 (Direct Cost: ¥14,400,000、Indirect Cost: ¥4,320,000) Fiscal Year 2027: ¥4,680,000 (Direct Cost: ¥3,600,000、Indirect Cost: ¥1,080,000) Fiscal Year 2026: ¥4,680,000 (Direct Cost: ¥3,600,000、Indirect Cost: ¥1,080,000) Fiscal Year 2025: ¥9,360,000 (Direct Cost: ¥7,200,000、Indirect Cost: ¥2,160,000)
Keywords	濡れ性 / 溶液成長 / 半導体薄膜 / 結晶成長 / 化学気相成長法
Outline of Research at the Start	現代社会を支える半導体デバイスはシリコンを基幹材料として発展してきたが，微細化による高機能化の物理的限界に近付いており，次世代デバイス創出には異種材料の導入・融合が必要とされている．本研究では，代表者独自の発見であるIII族金属融液の完全濡れ現象を応用し，次世代デバイス応用が有望視されているIII-V族半導体を任意の基板上に直接製膜するプロセスを確立する．化学熱力学と凝固・結晶成長の観点から結晶成長雰囲気の化学ポテンシャル，温度場，核生成サイト等を制御することで，半導体デバイス作製に十分な結晶品質と結晶粒径，および電子物性制御性を達成できるレベルまで，提案プロセスの高度化を目指す．