Quantum electronic devices based on van der Waals heterostructure

Research Project

Project/Area Number	25K01605
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Allocation Type	Multi-year Fund
Section	一般
Review Section	Basic Section 28020:Nanostructural physics-related
Research Institution	The University of Tokyo
Principal Investigator	守谷頼東京大学, 生産技術研究所, 特任准教授 (30548657)
Project Period (FY)	2025-04-01 – 2028-03-31
Project Status	Granted (Fiscal Year 2025)
Budget Amount *help	¥18,850,000 (Direct Cost: ¥14,500,000、Indirect Cost: ¥4,350,000) Fiscal Year 2027: ¥1,560,000 (Direct Cost: ¥1,200,000、Indirect Cost: ¥360,000) Fiscal Year 2026: ¥6,240,000 (Direct Cost: ¥4,800,000、Indirect Cost: ¥1,440,000) Fiscal Year 2025: ¥11,050,000 (Direct Cost: ¥8,500,000、Indirect Cost: ¥2,550,000)
Keywords	二次元材料 / 遷移金属ダイカルコゲナイド
Outline of Research at the Start	本研究では、TMD材料を用いたファンデルワールス(vdW)量子井戸を提案する。vdW量子井戸はvdW力により層状構造を形成する二次元材料に固有の現象である。最近我々はvdW二重量子井戸構造を初めて実現し、III-V族化合物半導体量子井戸に匹敵する共鳴トンネル効果のピーク・バレー比(デバイスの性能指数)を実現した。これらの背景を元に、本研究ではIII-V族化合物半導体を置き換え、高性能vdW量子井戸デバイスの実現を目指す。そして二次元材料の新分野としてvdW量子井戸エレクトロニクスの確立を目指す。