トポロジー変換によるHexagonal-Ⅳ族薄膜結晶作製とバンドエンジニアリング

• Project/Area Number: 25K01617
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• Allocation Type: Multi-year Fund
• Section: 一般
• Review Section: Basic Section 28030:Nanomaterials-related
• Research Institution: The University of Tokyo
• Principal Investigator: 安武 裕輔 東京大学, 大学院総合文化研究科, 技術専門職員 (10526726)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 深津 晋 東京大学, 大学院総合文化研究科, 教授 (60199164)
• Project Period (FY): 2025-04-01 – 2029-03-31
• Project Status: Granted (Fiscal Year 2025)
• Budget Amount: ¥18,850,000 (Direct Cost: ¥14,500,000、Indirect Cost: ¥4,350,000); Fiscal Year 2028: ¥2,730,000 (Direct Cost: ¥2,100,000、Indirect Cost: ¥630,000); Fiscal Year 2027: ¥2,600,000 (Direct Cost: ¥2,000,000、Indirect Cost: ¥600,000); Fiscal Year 2026: ¥5,070,000 (Direct Cost: ¥3,900,000、Indirect Cost: ¥1,170,000); Fiscal Year 2025: ¥8,450,000 (Direct Cost: ¥6,500,000、Indirect Cost: ¥1,950,000)
• Keywords: Germanium / Hexagonal / Germanene / Germanane / Epitaxy

Outline of Research at the Start

本研究では、(1)アルカリ土類介在結晶成長手法と(2)半導体バレー散乱追跡に特化した分光手法、それぞれ2つの独自性ある手法を駆使して、(i)Hexagonal構造を有する14族半導体(主にゲルマニウム(Ge)とシリコン(Si))の結晶薄膜成長手法の確立、(ii)hexagonal-14族半導体に期待される発光機構増大・キャリア移動度向上といった次世代半導体材料に資する機能発現の実証を目指した実験的研究を推進する。