Control of spin state and functionality exploration of alternagnetic semiconductor MnTe

• Project/Area Number: 25K01646
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• Allocation Type: Multi-year Fund
• Section: 一般
• Review Section: Basic Section 29010:Applied physical properties-related
• Research Institution: University of Tsukuba
• Principal Investigator: 黒田 眞司 筑波大学, 数理物質系, 教授 (40221949)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 秋山 了太 東京大学, 大学院理学系研究科(理学部), 助教 (40633962)
• Project Period (FY): 2025-04-01 – 2028-03-31
• Project Status: Granted (Fiscal Year 2025)
• Budget Amount: ¥18,720,000 (Direct Cost: ¥14,400,000、Indirect Cost: ¥4,320,000); Fiscal Year 2027: ¥5,850,000 (Direct Cost: ¥4,500,000、Indirect Cost: ¥1,350,000); Fiscal Year 2026: ¥5,720,000 (Direct Cost: ¥4,400,000、Indirect Cost: ¥1,320,000); Fiscal Year 2025: ¥7,150,000 (Direct Cost: ¥5,500,000、Indirect Cost: ¥1,650,000)
• Keywords: 交互磁性体 / スピン分裂 / スピン流

Outline of Research at the Start

強磁性、反強磁性に次ぐ第3の磁性として"Altermagnetism"(交互磁性)という概念が提唱され、注目を集めている。これは反強磁性と見かけ上同じ反平行のスピン配列で正味の磁化がゼロであるにもかかわらず、スピンによるバンドの分裂が生じるという特異な電子状態を有する新たな物質群で、スピントロニクスへの応用が期待されている。本研究ではこの交互磁性体の候補物質であるMnTeの薄膜を分子線エピタキシーにより作製し、磁気秩序やスピン分裂など特性の解明・制御ならびにデバイス応用のための機能の開拓を目指して研究を行う。