π共役系高分子の集積構造制御による物性開発

• Project/Area Number: 25K01656
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• Allocation Type: Multi-year Fund
• Section: 一般
• Review Section: Basic Section 29010:Applied physical properties-related
• Research Institution: Chitose Institute of Science and Technology
• Principal Investigator: 田中 久暁 公立千歳科学技術大学, 理工学部, 准教授 (50362273)
• Project Period (FY): 2025-04-01 – 2028-03-31
• Project Status: Granted (Fiscal Year 2025)
• Budget Amount: ¥18,850,000 (Direct Cost: ¥14,500,000、Indirect Cost: ¥4,350,000); Fiscal Year 2027: ¥1,950,000 (Direct Cost: ¥1,500,000、Indirect Cost: ¥450,000); Fiscal Year 2026: ¥1,950,000 (Direct Cost: ¥1,500,000、Indirect Cost: ¥450,000); Fiscal Year 2025: ¥14,950,000 (Direct Cost: ¥11,500,000、Indirect Cost: ¥3,450,000)
• Keywords: 導電性高分子 / 薄膜トランジスタ / キャリアドーピング / 電子スピン共鳴 / 電荷輸送

Outline of Research at the Start

本研究では、導電性高分子の分子構造および集積構造と物性・伝導性の相関をミクロな視点から明らかにするため、キャリアのスピンをミクロに検出できる電子スピン共鳴(ESR)法をデバイス構造と組み合わせ、デバイス駆動をもたらす領域の物性機能や分子配向を局所的かつミクロに明らかにする。ESR法を用いることで、キャリアドーピングに伴う金属転移や基板界面における局所配向など、デバイス性能を左右する因子を多様な新材料について明らかにし、革新的なデバイス機能発現をもたらす材料・素子設計の指針を確立する。