ファンホーベ特異点とヘリカルスピン構造をもつモアレヘテロ界面の量子物性解明

Research Project

Project/Area Number	25K01670
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Allocation Type	Multi-year Fund
Section	一般
Review Section	Basic Section 29020:Thin film/surface and interfacial physical properties-related
Research Institution	National Institute for Materials Science
Principal Investigator	内橋隆国立研究開発法人物質・材料研究機構, ナノアーキテクトニクス材料研究センター, 副センター長 (90354331)
Co-Investigator(Kenkyū-buntansha)	山地洋平国立研究開発法人物質・材料研究機構, ナノアーキテクトニクス材料研究センター, グループリーダー (00649428)
Project Period (FY)	2025-04-01 – 2028-03-31
Project Status	Granted (Fiscal Year 2025)
Budget Amount *help	¥18,850,000 (Direct Cost: ¥14,500,000、Indirect Cost: ¥4,350,000) Fiscal Year 2027: ¥5,200,000 (Direct Cost: ¥4,000,000、Indirect Cost: ¥1,200,000) Fiscal Year 2026: ¥5,200,000 (Direct Cost: ¥4,000,000、Indirect Cost: ¥1,200,000) Fiscal Year 2025: ¥8,450,000 (Direct Cost: ¥6,500,000、Indirect Cost: ¥1,950,000)
Keywords	モアレヘテロ界面 / アンチモネン / ビスマス / ファンホーベ特異点 / スピン軌道相互作用
Outline of Research at the Start	近年、グラフェンを代表とする２次元物質のモアレ積層構造において多彩な量子物性が発見され、世界的に大きな注目を集めている。一方で、対象となる材料は試料作製上の制限からグラフェンや遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDC)・窒化ホウ素(h-BN)にほぼ限定されてきた。本課題では、強いスピン軌道相互作用を有する、ビスマス表面上の原子層アンチモン（アンチモネン）から構成されるモアレヘテロ界面を研究対象とする。この系で発見された強いスピン軌道相互作用によりスピン偏極したファンホーベ特異点がもたらす量子物性や、Z2トポロジカル表面状態に対するモアレ変調の効果を明らかにする。