マイクロ波を用いた半導体デバイス材料の点欠陥焼鈍機構の解明

• Project/Area Number: 25K01677
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• Allocation Type: Multi-year Fund
• Section: 一般
• Review Section: Basic Section 30010:Crystal engineering-related
• Research Institution: University of Tsukuba
• Principal Investigator: 上殿 明良 筑波大学, 数理物質系, 教授 (20213374)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 藤井 知 沖縄工業高等専門学校, 情報通信システム工学科, 教授 (30598933) ; 中村 考志 国立研究開発法人産業技術総合研究所, 材料・化学領域, 主任研究員 (80591726)
• Project Period (FY): 2025-04-01 – 2028-03-31
• Project Status: Granted (Fiscal Year 2025)
• Budget Amount: ¥18,720,000 (Direct Cost: ¥14,400,000、Indirect Cost: ¥4,320,000); Fiscal Year 2027: ¥6,110,000 (Direct Cost: ¥4,700,000、Indirect Cost: ¥1,410,000); Fiscal Year 2026: ¥4,680,000 (Direct Cost: ¥3,600,000、Indirect Cost: ¥1,080,000); Fiscal Year 2025: ¥7,930,000 (Direct Cost: ¥6,100,000、Indirect Cost: ¥1,830,000)
• Keywords: 点欠陥 / 焼鈍特性 / マイクロ波焼鈍

Outline of Research at the Start

欠陥評価に関する既往の研究経験・成果を基盤とし、精密制御されたマイクロ波による焼鈍技術を開発、使用することにより、欠陥近傍の原子挙動について詳しい学術的知見を得る。本研究の学術的独創性は、マイクロ波の電界や磁界がイオン注入された不純物の活性化や欠陥が関与した物性に対してどのように寄与するかに関する学理解明を行うことにある。