液相エピタキシャル法によるβ-Ga2O3厚膜成長と高耐圧パワーデバイスの検討

• Project/Area Number: 25K01679
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• Allocation Type: Multi-year Fund
• Section: 一般
• Review Section: Basic Section 30010:Crystal engineering-related
• Research Institution: Shinshu University
• Principal Investigator: 太子 敏則 信州大学, 学術研究院工学系, 教授 (90397307)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 浦上 法之 信州大学, 学術研究院工学系, 准教授 (80758946)
• Project Period (FY): 2025-04-01 – 2028-03-31
• Project Status: Granted (Fiscal Year 2025)
• Budget Amount: ¥18,720,000 (Direct Cost: ¥14,400,000、Indirect Cost: ¥4,320,000); Fiscal Year 2027: ¥3,380,000 (Direct Cost: ¥2,600,000、Indirect Cost: ¥780,000); Fiscal Year 2026: ¥3,250,000 (Direct Cost: ¥2,500,000、Indirect Cost: ¥750,000); Fiscal Year 2025: ¥12,090,000 (Direct Cost: ¥9,300,000、Indirect Cost: ¥2,790,000)
• Keywords: β型酸化ガリウム / 溶液成長 / 厚膜 / パワーデバイス

Outline of Research at the Start

本研究は、β-Ga2O3に求められる超高耐圧パワーデバイス作製のため、液相エピタキシャル（LPE）成長による厚膜成長を実現する事を目的とする。具体的には、垂直ブリッジマン（VB）法で育成したβ-Ga2O3単結晶から任意結晶面の基板を取得し、LPE成長により厚膜のβ-Ga2O3をホモエピタキシャル成長させる。その際に用いる溶媒種の検討、溶媒の蒸発の抑制、より低温で均一かつ高速にβ相を成長する条件を明らかにする。また、LPE法による成膜により、ショットキーバリアダイオード（SBD）を作製し、結晶欠陥と耐圧の関係を明らかにする。