Development of new principle optoelectronic memory based on photochemical writing

Research Project

Project/Area Number	25K01857
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Allocation Type	Multi-year Fund
Section	一般
Review Section	Basic Section 36010:Inorganic compounds and inorganic materials chemistry-related
Research Institution	The University of Osaka
Principal Investigator	西久保綾佑大阪大学, 大学院工学研究科, 助教 (10909188)
Project Period (FY)	2025-04-01 – 2028-03-31
Project Status	Granted (Fiscal Year 2025)
Budget Amount *help	¥18,720,000 (Direct Cost: ¥14,400,000、Indirect Cost: ¥4,320,000) Fiscal Year 2027: ¥3,640,000 (Direct Cost: ¥2,800,000、Indirect Cost: ¥840,000) Fiscal Year 2026: ¥3,640,000 (Direct Cost: ¥2,800,000、Indirect Cost: ¥840,000) Fiscal Year 2025: ¥11,440,000 (Direct Cost: ¥8,800,000、Indirect Cost: ¥2,640,000)
Keywords	メモリー / 光電変換 / 光コンピューティング
Outline of Research at the Start	次世代のコンピュータ技術として、光で情報処理を行う光コンピューティングが注目されている。光コンピューティングの実現において、光照射により高速な電気的書き込みができるメモリ開発が求められている。そこで本課題では、デバイス内光化学反応を駆使した新原理光電気メモリを開発する。光電変換素子内部での光触媒反応を駆使することで、特定波長を照射した際に電気特性をスイッチング可能な素子を考案した。この新原理素子の概念実証と高性能化に取り組み、光コンピューティングに応用可能なメモリ素子を開発する。