極紫外線露光のための高速シミュレーション技術開発およびマスクデータベース構築

• Project/Area Number: 25K03090
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• Allocation Type: Multi-year Fund
• Section: 一般
• Review Section: Basic Section 60040:Computer system-related; Basic Section 60090:High performance computing-related; Sections That Are Subject to Joint Review: Basic Section60040:Computer system-related , Basic Section60090:High performance computing-related
• Research Institution: Institute of Science Tokyo
• Principal Investigator: 高橋 篤司 東京科学大学, 工学院, 教授 (30236260)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 小平 行秀 会津大学, コンピュータ理工学部, 上級准教授 (00549298) ; 下田 将之 東京科学大学, 工学院, 助教 (31017502)
• Project Period (FY): 2025-04-01 – 2029-03-31
• Project Status: Granted (Fiscal Year 2025)
• Budget Amount: ¥18,850,000 (Direct Cost: ¥14,500,000、Indirect Cost: ¥4,350,000); Fiscal Year 2028: ¥4,550,000 (Direct Cost: ¥3,500,000、Indirect Cost: ¥1,050,000); Fiscal Year 2027: ¥5,460,000 (Direct Cost: ¥4,200,000、Indirect Cost: ¥1,260,000); Fiscal Year 2026: ¥3,510,000 (Direct Cost: ¥2,700,000、Indirect Cost: ¥810,000); Fiscal Year 2025: ¥5,330,000 (Direct Cost: ¥4,100,000、Indirect Cost: ¥1,230,000)
• Keywords: 極紫外線 / マスク3D効果 / 光近接効果補正 / EUVマスクデータベース

Outline of Research at the Start

最先端の半導体製造には、極紫外線（Extreme Ultraviolet、EUV）を光源とする露光装置が用いられている。EUV露光では、反射型マスクに起因するマスク3D効果が問題となっている。マスク3D効果を補正（光近接効果補正、Optical Proximity Correction、OPC）するためには、高精度な露光シミュレーションが必要となる。本研究では、マスク3D効果を機械学習により高速に推定することで、露光シミュレーションの高速化を目指す。また、機械学習を利用したOPC技術の研究開発のためのEUVマスクデータベースを構築し公開する。