SiC表面に自己集積したグラフェンナノリボン列の顕微光電子分光による電子状態の研究

Research Project

Project/Area Number	25K07182
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Allocation Type	Multi-year Fund
Section	一般
Review Section	Basic Section 13020:Semiconductors, optical properties of condensed matter and atomic physics-related
Research Institution	Institute of Science Tokyo
Principal Investigator	小森文夫東京科学大学, 物質理工学院, 研究員 (60170388)
Project Period (FY)	2025-04-01 – 2028-03-31
Project Status	Granted (Fiscal Year 2025)
Budget Amount *help	¥4,550,000 (Direct Cost: ¥3,500,000、Indirect Cost: ¥1,050,000) Fiscal Year 2027: ¥1,690,000 (Direct Cost: ¥1,300,000、Indirect Cost: ¥390,000) Fiscal Year 2026: ¥1,690,000 (Direct Cost: ¥1,300,000、Indirect Cost: ¥390,000) Fiscal Year 2025: ¥1,170,000 (Direct Cost: ¥900,000、Indirect Cost: ¥270,000)
Keywords	グラフェンナノリボン / ファセット面 / 集束イオンビーム / 顕微光電子分光
Outline of Research at the Start	グラフェンナノリボン(GNR)は高性能な電子デバイスへの応用が期待されている。そこで、二つの顕微新手法を組み合わることにより、SiC基板上にエピタキシャルGNRを作製し、その電子状態を明らかにする。最初に、収束イオンビームを用いて方位を定めて１０ミクロン四方のシリコンカーバイド傾斜結晶面を加工する。次に熱分解によって均一な規則的なGNR配列を傾斜結晶面上に作製する。そして、軌道放射光を光源とする顕微スピン角度分解光電子分光を用いて、作製したGNR列試料の基板方位依存スピン電子状態を解明する。