ワイドギャップ半導体センサーによる耐放射線計測システムの開発

Research Project

Project/Area Number	25K07348
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Allocation Type	Multi-year Fund
Section	一般
Review Section	Basic Section 15020:Experimental studies related to particle-, nuclear-, cosmic ray and astro-physics
Research Institution	High Energy Accelerator Research Organization
Principal Investigator	藤田陽一大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構, 素粒子原子核研究所, 専門技師 (80391720)
Co-Investigator(Kenkyū-buntansha)	深尾祥紀大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構, 素粒子原子核研究所, 准教授 (80443018)
Project Period (FY)	2025-04-01 – 2028-03-31
Project Status	Granted (Fiscal Year 2025)
Budget Amount *help	¥3,770,000 (Direct Cost: ¥2,900,000、Indirect Cost: ¥870,000) Fiscal Year 2027: ¥390,000 (Direct Cost: ¥300,000、Indirect Cost: ¥90,000) Fiscal Year 2026: ¥1,820,000 (Direct Cost: ¥1,400,000、Indirect Cost: ¥420,000) Fiscal Year 2025: ¥1,560,000 (Direct Cost: ¥1,200,000、Indirect Cost: ¥360,000)
Keywords	半導体センサー
Outline of Research at the Start	ミューオン電子転換過程探索実験 COMET における前方ミューオン計測システムの完成を目指し、ワイドギャップ半導体を軸とする放射線耐性の高いセンサーおよびエレクトロニクスの開発技術を確立する。COMET 実験は大強度陽子ビームから大量のミューオンを生成するため、測定器の上流では電離性放射線量として 10MGy、非電離性放射線量として 10^14neutron/cm^2 もの放射線耐性が要求される。本研究ではセンサー材料としてシリコンカーバイドの実用に向けて開発を行う。更にディープサブミクロン CMOS 技術を用いた回路を開発し、センサーと合わせて実験要求を満たす計測システムを実現する。