Mecahnical dislocation formation on single crystal silicon substratrs and fabricatiob of three-dimensional silicon wires using these dislocations

Research Project

Project/Area Number	25K07505
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Allocation Type	Multi-year Fund
Section	一般
Review Section	Basic Section 18010:Mechanics of materials and materials-related
Research Institution	Tokyo Denki University
Principal Investigator	本橋光也東京電機大学, 工学部, 教授 (60239580)
Project Period (FY)	2025-04-01 – 2029-03-31
Project Status	Granted (Fiscal Year 2025)
Budget Amount *help	¥3,900,000 (Direct Cost: ¥3,000,000、Indirect Cost: ¥900,000) Fiscal Year 2028: ¥1,040,000 (Direct Cost: ¥800,000、Indirect Cost: ¥240,000) Fiscal Year 2027: ¥910,000 (Direct Cost: ¥700,000、Indirect Cost: ¥210,000) Fiscal Year 2026: ¥1,040,000 (Direct Cost: ¥800,000、Indirect Cost: ¥240,000) Fiscal Year 2025: ¥910,000 (Direct Cost: ¥700,000、Indirect Cost: ¥210,000)
Keywords	シリコンワイヤ / 結晶転位 / 陽極酸化 / ナノ構造 / ポーラスシリコン
Outline of Research at the Start	従来から、単結晶シリコンに代表される結晶構造を有する半導体においては発生してしまう結晶転位は不要とされてきた。しかし、この転位を制御し意図的に設計した位置に発生させることが可能であれば、これを利用したまったく新しい構造体作製法が確立できる。我々はこれまでに、転位を利用した電気分解によるシリコンワイヤの作製を行ってきた。本研究では、これらの転位の評価を行い転位形状の制御法を検討することでこのワイヤの作製を行う。転位を積極的に利用する方法は世界初のものであり、本研究を遂行することで今までに無い新しいワイヤ作製法の確立を目指す。