Development of sub-10 nm mold fabrication and pattern releasing technology in nanoimprint lithography

• Project/Area Number: 25K07524
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• Allocation Type: Multi-year Fund
• Section: 一般
• Review Section: Basic Section 18020:Manufacturing and production engineering-related
• Research Institution: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
• Principal Investigator: 鈴木 健太 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員 (60709509)
• Project Period (FY): 2025-04-01 – 2028-03-31
• Project Status: Granted (Fiscal Year 2025)
• Budget Amount: ¥4,680,000 (Direct Cost: ¥3,600,000、Indirect Cost: ¥1,080,000); Fiscal Year 2027: ¥520,000 (Direct Cost: ¥400,000、Indirect Cost: ¥120,000); Fiscal Year 2026: ¥2,080,000 (Direct Cost: ¥1,600,000、Indirect Cost: ¥480,000); Fiscal Year 2025: ¥2,080,000 (Direct Cost: ¥1,600,000、Indirect Cost: ¥480,000)
• Keywords: ナノインプリント / リソグラフィ / シングルナノ / モールド

Outline of Research at the Start

先端デバイスの寸法の微細化に対応し、形状幅10nm未満のシングルナノメートル領域のパターニング技術の開発が求められている。光ナノインプリントは原子レベルの凹凸の報告例がある一方で、シングルナノメートル領域でのリソグラフィが進まない理由としては、モールドの作製技術の困難さとモールド離型時のパターン欠陥の課題がある。本研究では、マルチパターニングを用いた形状幅10nm未満(ハーフピッチ：HP 9nm目標)のパターンを有するモールドの作製技術および、モールド離型時に潤滑剤として役割を期待する界面離型層を利用した光ナノインプリント技術を開発する。