非経験的分子軌道計算による金属基板上のダイヤモンド成長メカニズムの解明と制御

• Project/Area Number: 25K07530
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• Allocation Type: Multi-year Fund
• Section: 一般
• Review Section: Basic Section 18020:Manufacturing and production engineering-related
• Research Institution: Ehime University
• Principal Investigator: 豊田 洋通 愛媛大学, 理工学研究科(工学系), 教授 (00217572)
• Project Period (FY): 2025-04-01 – 2029-03-31
• Project Status: Granted (Fiscal Year 2025)
• Budget Amount: ¥4,680,000 (Direct Cost: ¥3,600,000、Indirect Cost: ¥1,080,000); Fiscal Year 2028: ¥1,170,000 (Direct Cost: ¥900,000、Indirect Cost: ¥270,000); Fiscal Year 2027: ¥1,170,000 (Direct Cost: ¥900,000、Indirect Cost: ¥270,000); Fiscal Year 2026: ¥1,170,000 (Direct Cost: ¥900,000、Indirect Cost: ¥270,000); Fiscal Year 2025: ¥1,170,000 (Direct Cost: ¥900,000、Indirect Cost: ¥270,000)
• Keywords: ダイヤモンド / 液中プラズマCVD / 金属基板 / 非経験的分子軌道法 / 密着性

Outline of Research at the Start

本研究は，ダイヤモンドの合成メカニズムを明らかにしたうえで，ダイヤモンドを任意の金属基板に密着性良く高速に合成することを最終目標として行う研究である。まず，種々の金属基板表面の状態を変えてダイヤモンド合成実験を行う。非経験的分子軌道法を用いたシミュレーション計算を行って実験結果を説明し，金属表面にダイヤモンドが密着性良く合成できるメカニズムを理論的に明らかにして，高速合成が可能となる液中プラズマCVD法に適用して最終目的を達成する。